×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2006 [2]
学科主题
光电子学 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
发表日期:2006
学科主题:光电子学
内容类型:期刊论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Spatial distribution of deep level defects in crack-free AlGaN grown on GaN with a high-temperature AlN interlayer
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123101
Sun, Q (Sun, Q.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Jin, RQ (Jin, R. Q.)
;
Huang, Y (Huang, Y.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Jahn, U (Jahn, U.)
;
Ploog, KH (Ploog, K. H.)
收藏
  |  
浏览/下载:31/0
  |  
提交时间:2010/03/29
LIGHT-EMITTING-DIODES
Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917
作者:
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Li XY
;
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace