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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2006 [5]
学科主题
光电子学 [5]
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发表日期:2006
学科主题:光电子学
内容类型:期刊论文
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Investigation of a chemically treated InP(100) surface during hydrophilic wafer bonding process
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 128, 期号: 1-3, 页码: 93-97
作者:
Yu LJ
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浏览/下载:68/0
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提交时间:2010/04/11
surface micro-roughness
contact angle
root-mean-square roughness
SILICON-WAFERS
ROUGHNESS
INP
Optical properties of semiconductor quantum-well material using photonic crystal fabricated by micro-fabrication machine
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1248-1252
Xu XS
;
Xiong ZG
;
Sun ZH
;
Du W
;
Lu L
;
Chen HD
;
Jin AZ
;
Zhang DZ
收藏
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浏览/下载:82/0
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提交时间:2010/04/11
focused ion beam
electron beam lithography
photonic crystal
extraction efficiency
LIGHT EXTRACTION
SLAB
Bonding-wire compensation effect on the packaging parasitics of optoelectronic devices
期刊论文
microwave and optical technology letters, 2006, 卷号: 48, 期号: 1, 页码: 76-79
Zhu NH
;
Liu Y
;
Zhang SJ
;
Wen JM
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/04/11
packaging
photodiode
semiconductor laser
S-parameter measurement
DESIGN
Thermal stress analysis for GaInAsP multiple quantum well wafer chemically bonded to Si (100)
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 2, 页码: art.no.023513
Zhao HQ (Zhao Hong-Quan)
;
Yu LJ (Yu Li-Juan)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/04/11
ACTIVATED BONDING METHOD
ROOM-TEMPERATURE
EPITAXIAL OVERGROWTHS
SURFACE
CRYSTAL
GAAS
TECHNOLOGY
ENERGY
FILMS
Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction
期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 117-123
Zhao HQ (Zhao Hong-Quan)
;
Yu LJ (Yu Li-Juan)
;
Huang YZ (Huang Yong-Zhen)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/04/11
InP
Si
X-ray double crystalline diffraction
thermal strain
wafer bonding
OPTOELECTRONIC DEVICES
EPITAXIAL OVERGROWTHS
TEMPERATURE
INTERFACE
STRESSES
VCSELS
SURFACES
ENERGY
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