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上海微系统与信息技术... [1]
上海应用物理研究所 [1]
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2005 [3]
学科主题
光电子学 [1]
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发表日期:2005
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SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究
期刊论文
核技术, 2005, 期号: 04
陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2012/07/04
应变
硅锗
卢瑟福背散射/沟道效应
高分辨率X射线衍射
拉曼谱
SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备
学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所) , 2005
金波
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提交时间:2012/03/06
SiGe
SOI
Strained Silicon
带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态
期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4350-4353
作者:
成步文
;
薛春来
;
左玉华
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/11/23
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