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SiGe/Si(100)外延薄膜材料的应变表征研究 期刊论文
核技术, 2005, 期号: 04
陈长春,余本海,刘江峰,曹建清,朱德彰
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SOI基锗硅弛豫研究及绝缘体上应变硅材料制备 学位论文
博士: 中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所)  , 2005
金波  
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带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态 期刊论文
物理学报, 2005, 卷号: 54, 期号: 9, 页码: 4350-4353
作者:  成步文;  薛春来;  左玉华
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