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科研机构
半导体研究所 [2]
西安光学精密机械研究... [2]
内容类型
专利 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2005 [4]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2005
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Method of forming laser mesa by reactive ion etching followed by in situ etching in regrowth reactor
专利
专利号: GB2411520A, 申请日期: 2005-08-31, 公开日期: 2005-08-31
作者:
DANIELE, BERTONE
;
SIMONE, CODATO
;
ROBERTA, CAMPI
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2019/12/31
Realization of highly uniform self-assembled inas quantum wires by the strain compensating technique
期刊论文
Applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 8, 页码: 3
作者:
Huang, XQ
;
Wang, YL
;
Li, L
;
Liang, L
;
Liu, FQ
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2019/05/12
長波長垂直腔面發射激光器底部反射鏡
专利
专利号: HK1066331A, 申请日期: 2005-03-18, 公开日期: 2005-03-18
作者:
HO-KI KWON
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/12/31
Realization of highly uniform self-assembled InAs quantum wires by the strain compensating technique
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 8, 页码: art.no.083108
Huang, XQ
;
Wang, YL
;
Li, L
;
Liang, L
;
Liu, FQ
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浏览/下载:39/18
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提交时间:2010/03/17
INP(001)
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