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半導体電界吸収型変調器およびその製造方法 专利
专利号: JP2004319851A, 申请日期: 2004-11-11, 公开日期: 2004-11-11
作者:  赤毛 勇一;  深野 秀樹;  斉藤 正
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Quantum well intermixing in InGaAsP structures induced by low temperature grown InP 专利
专利号: US6797533, 申请日期: 2004-09-28, 公开日期: 2004-09-28
作者:  THOMPSON, DAVID A.;  ROBINSON, BRADLEY J.;  LETAL, GREGORY J.;  LEE, ALEX S. W.;  GORDON, BROOKE
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Ridge waveguide distributed feedback laser 专利
专利号: US6741630, 申请日期: 2004-05-25, 公开日期: 2004-05-25
作者:  TAKIGUCHI, TOHRU
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Single-waveguide integrated wavelength demux photodetector and method of making it 专利
专利号: US6731850, 申请日期: 2004-05-04, 公开日期: 2004-05-04
作者:  SARGENT, EDWARD H.
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（111）A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性 期刊论文
液晶与显示, 2004, 期号: 2, 页码: 87-91
作者:  刘瑞东;  于丽娟;  芦秀玲;  黄永箴;  张福甲
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2004119467A, 申请日期: 2004-04-15, 公开日期: 2004-04-15
作者:  竹見 政義;  太田 徹;  龍竹 史朗
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2004111535A, 申请日期: 2004-04-08, 公开日期: 2004-04-08
作者:  中山 毅
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分布帰還型半導体レーザの製造方法 专利
专利号: JP2004071678A, 申请日期: 2004-03-04, 公开日期: 2004-03-04
作者:  中山 久志;  鬼頭 雅弘;  小河 晴樹
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半導体発光素子 专利
专利号: JP3525257B1, 申请日期: 2004-02-27, 公开日期: 2004-05-10
作者:  長島 靖明;  下瀬 佳治;  山田 敦史;  菊川 知之
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Mode characteristics of semiconductor equilateral triangle microcavities with side length of 5-20 mu m 期刊论文
Ieee photonics technology letters, 2004, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 359-361
作者:  Lu, QY;  Chen, XH;  Guo, WH;  Yu, LJ;  Huang, YZ
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