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共24条,第1-10条
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发表日期:2004
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半導体電界吸収型変調器およびその製造方法
专利
专利号: JP2004319851A, 申请日期: 2004-11-11, 公开日期: 2004-11-11
作者:
赤毛 勇一
;
深野 秀樹
;
斉藤 正
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2020/01/18
Quantum well intermixing in InGaAsP structures induced by low temperature grown InP
专利
专利号: US6797533, 申请日期: 2004-09-28, 公开日期: 2004-09-28
作者:
THOMPSON, DAVID A.
;
ROBINSON, BRADLEY J.
;
LETAL, GREGORY J.
;
LEE, ALEX S. W.
;
GORDON, BROOKE
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/12/26
Ridge waveguide distributed feedback laser
专利
专利号: US6741630, 申请日期: 2004-05-25, 公开日期: 2004-05-25
作者:
TAKIGUCHI, TOHRU
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2019/12/26
Single-waveguide integrated wavelength demux photodetector and method of making it
专利
专利号: US6731850, 申请日期: 2004-05-04, 公开日期: 2004-05-04
作者:
SARGENT, EDWARD H.
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2019/12/26
(111)A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性
期刊论文
液晶与显示, 2004, 期号: 2, 页码: 87-91
作者:
刘瑞东
;
于丽娟
;
芦秀玲
;
黄永箴
;
张福甲
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2015/04/27
V/Ш比
表面形貌
光学特性
(111)A
InGaAsP
半導体レーザ装置
专利
专利号: JP2004119467A, 申请日期: 2004-04-15, 公开日期: 2004-04-15
作者:
竹見 政義
;
太田 徹
;
龍竹 史朗
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/18
半導体レーザ装置
专利
专利号: JP2004111535A, 申请日期: 2004-04-08, 公开日期: 2004-04-08
作者:
中山 毅
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2020/01/18
分布帰還型半導体レーザの製造方法
专利
专利号: JP2004071678A, 申请日期: 2004-03-04, 公开日期: 2004-03-04
作者:
中山 久志
;
鬼頭 雅弘
;
小河 晴樹
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/01/13
半導体発光素子
专利
专利号: JP3525257B1, 申请日期: 2004-02-27, 公开日期: 2004-05-10
作者:
長島 靖明
;
下瀬 佳治
;
山田 敦史
;
菊川 知之
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2020/01/18
Mode characteristics of semiconductor equilateral triangle microcavities with side length of 5-20 mu m
期刊论文
Ieee photonics technology letters, 2004, 卷号: 16, 期号: 2, 页码: 359-361
作者:
Lu, QY
;
Chen, XH
;
Guo, WH
;
Yu, LJ
;
Huang, YZ
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Gainasp-inp
Microresonator
Photoluminescence (pl)
Quantum wells
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