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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2003     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 110keV铁离子束辐照L(+)-半胱氨酸的分子改性研究 期刊论文 高能物理与核物理, 2003, 期号: 5, 页码: 460-464 作者:  袁世斌;  卫增泉;  李文建;  高清祥 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2016/08/20 低能离子注入  L(+)-半胱氨酸  辐照效应  分子改性  质量沉积   Q态硫化镉纳米晶的制备、形态、量子尺寸效应与光催化性能 期刊论文 中国科学(B辑 化学), 2003, 期号: 1, 页码: 66-73 作者:  章伟光;  钟昀;  范军;  孙姒巧;  唐宁 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/23 Q态粒子  CdS纳米晶  光催化  小角X射线衍射  量子尺寸效应   Resonant tunneling theory of planar quantum dot structures 期刊论文 physical review b, 2003, 卷号: 68, 期号: 7, 页码: art.no.075310 Xia JB; Li SS 收藏  |  浏览/下载：55/0  |  提交时间：2010/08/12 WAVE-GUIDES  SPECTROSCOPY  CONDUCTANCE  TRANSPORT  RINGS   Study on variable capacitance diode of (p)nc-Si : H/(n)c-Si heterojunction 期刊论文 vacuum, 2003, 卷号: 71, 期号: 4, 页码: 465-469 Wei WS; Wang TM; Zhang CX; Li GH; Li YX 收藏  |  浏览/下载：437/4  |  提交时间：2010/08/12 nc-Si : H film  (p)nc-Si : H/(n)c-Si heterojunction  variable capacitance diode  NANOCRYSTALLINE SILICON FILMS  ELECTRICAL CHARACTERIZATION  CONDUCTION MECHANISM  SPECTROSCOPY  STATES   Magnetic field tuning of the effective g factor in a diluted magnetic semiconductor quantum dot 期刊论文 applied physics letters, 2003, 卷号: 82, 期号: 16, 页码: 2661-2663 Chang K; Xia JB; Peeters FM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 ELECTRON G-FACTOR  SPIN INTERACTIONS  OPTICAL-SPECTRA  SPECTROSCOPY  GAAS  POLARONS  WELLS   Electronic properties of sulfur passivated undoped-n(+) type GaAs surface studied by photoreflectance 期刊论文 applied surface science, 2003, 卷号: 218, 期号: 1-4, 页码: 210-214 作者:  Jin P 收藏  |  浏览/下载：460/3  |  提交时间：2010/08/12 sulfur passivation  Franz-Keldysh oscillations  undoped-n(+) type GaAs  complex Fourier transformation  FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS  GAAS(001) SURFACES  GAAS(100)  PHOTOEMISSION  SPECTROSCOPY  ENHANCEMENT   Photoluminescence of Mg-doped GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of vacuum science & technology a, 2003, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 838-841 Qu BZ; Zhu QS; Sun XH; Wan SK; Wang ZG; Nagai H; Kawaguchi Y; Hiramatsu K; Sawaki N 收藏  |  浏览/下载：293/4  |  提交时间：2010/08/12 P-TYPE GAN  LIGHT-EMITTING-DIODES  LOCALIZED EXCITONS  GALLIUM NITRIDE  FILMS  DEFECTS  LUMINESCENCE  COMPENSATION  SPECTROSCOPY  ACCEPTORS