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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2003    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Pressure behavior of te isoelectronic centers in s-rich zns1-xtex alloy 期刊论文 Physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406 作者:  Li, GH;  Fang, ZL;  Su, FH;  Ma, BS;  Ding, K 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 会议论文 10th international conference on high pressures in semiconductor physics (hpsp-x), guildford, england, aug 05-08, 2002 Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 OPTICAL-ABSORPTION  ZNS-TE  TRANSITION  EDGE   Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy 期刊论文 physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406 Li GH; Fang ZL; Su FH; Ma BS; Ding K; Han HX; Sou IK; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/08/12 OPTICAL-ABSORPTION  ZNS-TE  TRANSITION  EDGE