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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2003 [2]
学科主题
半导体物理 [1]
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发表日期:2003
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Pressure behavior of te isoelectronic centers in s-rich zns1-xtex alloy
期刊论文
Physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406
作者:
Li, GH
;
Fang, ZL
;
Su, FH
;
Ma, BS
;
Ding, K
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提交时间:2019/05/12
Pressure behavior of Te isoelectronic centers in S-rich ZnS1-xTex alloy
期刊论文
physica status solidi b-basic research, 2003, 卷号: 235, 期号: 2, 页码: 401-406
Li GH
;
Fang ZL
;
Su FH
;
Ma BS
;
Ding K
;
Han HX
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
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提交时间:2010/08/12
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