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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
会议论文 [1]
发表日期
2003 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2003
内容类型:会议论文
专题:半导体研究所
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High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE
会议论文
symposium on gan and related alloys held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02-06, 2002
Wang JX
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hu GX
;
Liu HX
;
Lin LY
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提交时间:2010/10/29
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ION-SCATTERING SPECTROSCOPY
LATTICE POLARITY
SINGLE-CRYSTALS
FILMS
POLARIZATION
GAN(0001)
SURFACES
GROWTH
DIODES
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