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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2003    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of annealing ambient on the formation of compensation defects in InP 期刊论文 journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 2, 页码: 930-932 Deng AH; Mascher P; Zhao YW; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/08/12 UNDOPED SEMIINSULATING INP  LOW FE CONTENT  POSITRON-LIFETIME  PHASE EPITAXY  PRESSURE  VACANCY  INDIUM  ANNIHILATION  PHOSPHIDE  WAFERS   Localized exciton dynamics in AlInGaN alloy 期刊论文 solid state communications, 2003, 卷号: 126, 期号: 8, 页码: 473-477 Huang JS; Dong X; Luo XD; Liu XL; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/08/12 AlInGaN  quantum dots  hopping  stretched-exponential decay  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  LIGHT-EMITTING-DIODES  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  THERMAL-ACTIVATION  LUMINESCENCE  TRANSITIONS  RELAXATION  SILICON  LAYERS