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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2002 [3]
学科主题
半导体物理 [3]
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发表日期:2002
学科主题:半导体物理
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Fe-diffusion-induced defects in InP annealed in iron phosphide ambient
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2002, 卷号: 41, 期号: 4a, 页码: 1929-1931
Zhao YW
;
Dong HW
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
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浏览/下载:98/7
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提交时间:2010/08/12
indium phosphide
annealing
semi-insulating
defect
diffusion
ENCAPSULATED CZOCHRALSKI INP
SEMIINSULATING INP
PHOTO-LUMINESCENCE
INDIUM-PHOSPHIDE
UNDOPED INP
PHOTOLUMINESCENCE
CRYSTALS
PRESSURE
Effects of annealing on properties of spin-valve pinned with FeMn alloy
期刊论文
acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1846-1850
Chai CL
;
Teng J
;
Yu GH
;
Zhu FW
;
Lai WY
;
Xiao JM
收藏
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浏览/下载:61/0
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提交时间:2010/08/12
annealing
spin-valve
diffusion along grain boundary
TEMPERATURE-DEPENDENCE
MAGNETORESISTANCE
FILMS
COERCIVITY
FIELD
BIAS
NIO
Deep levels in semi-insulating InP obtained by annealing under iron phosphide ambiance
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 4, 页码: 1968-1970
Dong HW
;
Zhao YW
;
Zhang YH
;
Jiao JH
;
Zhao JQ
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:64/15
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提交时间:2010/08/12
FE-DOPED INP
SEMIINSULATING INP
UNDOPED INP
SPECTROSCOPY
WAFER
UNIFORMITY
PRESSURE
TRAPS
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