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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2002 [3]
学科主题
半导体材料 [3]
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发表日期:2002
学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
专题:半导体研究所
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The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:48/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
molecular beam epitaxy
quantum wells
III-V semiconductors
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
SINGLE-QUANTUM-WELL
LUMINESCENCE
GAAS
LOCALIZATION
BEHAVIOR
LAYER
A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
收藏
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浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
quantum dots
strain
molecular beam epitaxy
superluminescent diodes
1.3 MU-M
HIGH-POWER
INTEGRATED ABSORBER
INAS ISLANDS
SPECTRUM
WINDOW
LAYER
SIZE
A novel line-order of InAs quantum dots on GaAs
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 1-2, 页码: 69-73
作者:
Li CM
;
Xu B
;
Jin P
收藏
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浏览/下载:46/0
  |  
提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
strain
molecular beam epitaxy
quantum dots
semiconducting III-V materials
SHAPE TRANSITION
PHOTOLUMINESCENCE
FABRICATION
DEPOSITION
WIRES
SITU
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