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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2001    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-quality metamorphic hemt grown on gaas substrates by mbe 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 210-213 作者:  Zeng, YP;  Cao, X;  Cui, LJ;  Kong, MY;  Pan, L 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  High electron mobility transistors   Influence of growth conditions on self-assembled inas nanostructures grown on (001)inp substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 518-522 作者:  Li, YF;  Lin, F;  Xu, B;  Liu, FQ;  Ye, WL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Semiconductor iii-v materials   Influence of growth conditions on self-assembled InAs nanostructures grown on (001)InP substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 518-522 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：106/8  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  QUANTUM DOTS  SURFACE-MORPHOLOGY  LOW-THRESHOLD  INP  INP(001)  LUMINESCENCE  ORGANIZATION  ISLANDS  LAYER   High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Zeng YP; Cao X; Cui LJ; Kong MY; Pan L; Wang BQ; Zhu ZP 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  high electron mobility transistors  DENSITY   High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 210-213 Zeng YP; Cao X; Cui LJ; Kong MY; Pan L; Wang BQ; Zhu ZP 收藏  |  浏览/下载：118/19  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  high electron mobility transistors  DENSITY