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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2001    内容类型：成果     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法 成果 鉴定: 无, 2001 林成鲁; 张苗; 王连卫; 黄继颇; 多新中 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2013/04/12