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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural, optical and intraband absorption properties of vertically aligned In0.32Ga0.68As/GaAs quantum dots superlattices 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2001, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 384-390 Zhuang QD; Yoon SF; Li HX; Li JM; Zeng YP; Kong MY; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：94/7  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  superlattice  vertical alignment  photoluminescence  infrared absorption  INFRARED PHOTODETECTORS  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURES  SPECTROSCOPY  DETECTOR   Detection of efficient carrier capture in ultrathin InAs/GaAs layers using a degenerate pump-probe technique 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2001, 卷号: 13, 期号: 18, 页码: 3923-3930 Liu B; Li Q; Xu ZY; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：115/10  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM DOTS  ZNSE MATRIX  GAAS  SPECTROSCOPY  RELAXATION   Random telegraph noise in the photoluminescence of individual GaxIn1-xAs quantum dots in GaAs 期刊论文 physical review b, 2001, 卷号: 64, 期号: 4, 页码: art.no.045317 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：91/6  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY   The transition from Eu3+ to Eu2+ in SiO2(Eu) thin films prepared by ion implantation and co-sputtering 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 3, 页码: 532-535 Liu FZ; Zhu MF; Liu T; Li BC 收藏  |  浏览/下载：165/50  |  提交时间：2010/08/12 SiO2(Eu) films  XANES  SPECTROSCOPY  SILICON  VALENCE  GLASS  ER3+   Electrical manifestation of the quantum-confined Stark effect by quantum capacitance response in an optically excited quantum well 期刊论文 physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.113305 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：84/1  |  提交时间：2010/08/12 RESONANT-TUNNELING DIODES  SPACER LAYERS  SPECTROSCOPY  DOTS  HETEROSTRUCTURES   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：104/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION   Ion bombardment as the initial stage of diamond film growth 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 89, 期号: 3, 页码: 1983-1985 Liao MY; Qin FG; Zhang JH; Liu ZK; Yang SY; Wang ZG; Lee ST 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 BIAS-ENHANCED NUCLEATION  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  BEAM DEPOSITION  MECHANISM  SILICON  SPECTROSCOPY   The microstructure and its high-temperature annealing behaviours of a-Si : O : H film 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 12, 页码: 2418-2422 Wang YQ; Chen CY; Chen WD; Yang FH; Diao HW 收藏  |  浏览/下载：82/6  |  提交时间：2010/08/12 a-Si : O : H  nc-Si  microstructure  annealing  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  AMORPHOUS SIO2  OPTICAL-PROPERTIES  SILICON