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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：95/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER   Observation of deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy 会议论文 6th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, shanghai, peoples r china, oct 22-25, 2001 Lu LW; Ge WK; Sou IK; Wang J 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/10/29 ZNSTE