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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2000     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Relaxed GexSi1-x layer formation with reduced dislocation density grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2000, 卷号: 70, 期号: 4, 页码: 449-451 Luo GL; Chen PY; Lin XF; Tsien P; Fan TW 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  HIGH-ELECTRON-MOBILITY  BUFFER LAYER  SI/SIGE HETEROSTRUCTURES  SI  TEMPERATURE  SILANE  FILMS