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浏览/检索结果: 共16条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2000    专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Method of improving laser yield for target wavelengths in epitaxial InGaAsP lasers based upon the thermal conductivity of the InP substrate 专利 专利号: US6159758, 申请日期: 2000-12-12, 公开日期: 2000-12-12 作者:  EBERT, CHRIS W.;  GRAY, MARY L.;  GRIM-BOGDAN, KAREN A.;  SEILER, JOSEPH BRIAN;  TZAFARAS, NIKOLAOS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/26 Monolitisch-integrierte Anordnung von lichtemittierendem Element und externem Modulator/lichtempfindlichem Element 专利 专利号: DE69610675D1, 申请日期: 2000-11-23, 公开日期: 2000-11-23 作者:  KINOSHITA JUNICHI 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/24 半導体レーザ装置 专利 专利号: JP2000252590A, 申请日期: 2000-09-14, 公开日期: 2000-09-14 作者:  中山 久志;  鬼頭 雅弘;  石野 正人;  松井 康 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2020/01/13 Semiconductor laser and process for producing the same 专利 专利号: US6104738, 申请日期: 2000-08-15, 公开日期: 2000-08-15 作者:  KITOH, MASAHIRO;  OTSUKA, NOBUYUKI;  ISHINO, MASATO;  MATSUI, YASUSHI;  INABA, YUICHI 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/12/26 多重量子井戸半導体レーザ 专利 专利号: JP3080831B2, 申请日期: 2000-06-23, 公开日期: 2000-08-28 作者:  佐々木 善浩;  森本 卓夫 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/26 化合物半導体装置の製造方法 专利 专利号: JP3066601B2, 申请日期: 2000-05-19, 公开日期: 2000-07-17 作者:  藤井 卓也 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2020/01/18 半導体光集積素子およびその製造方法 专利 专利号: JP3067702B2, 申请日期: 2000-05-19, 公开日期: 2000-07-24 作者:  佐々木 達也 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2020/01/18 結晶成長方法及び、これを用いた半導体レーザの製造方法 专利 专利号: JP2000133599A, 申请日期: 2000-05-12, 公开日期: 2000-05-12 作者:  中村 幸治 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31 半導体レーザ 专利 专利号: JP2000114652A, 申请日期: 2000-04-21, 公开日期: 2000-04-21 作者:  満原 学;  馬渡 宏泰;  杉浦 英雄 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2020/01/13 化合物半導体装置の製造方法 专利 专利号: JP2000091303A, 申请日期: 2000-03-31, 公开日期: 2000-03-31 作者:  藤井 卓也;  岡崎 二郎;  渡辺 孝幸 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/18