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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [2]
发表日期
2000 [7]
学科主题
半导体物理 [7]
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发表日期:2000
学科主题:半导体物理
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Exciton states and optical spectra in CdSe nanocrystallite quantum dots
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 23, 页码: 15880-15886
作者:
Li JB
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
ELECTRONIC-STRUCTURE
SEMICONDUCTOR CLUSTERS
SIZE DEPENDENCE
ENERGY-LEVELS
CRYSTALLITES
ASSIGNMENT
WURTZITE
SPHERES
BANDS
DARK
Experimental determination of local Strain effect on InAs/GaAs self-organized quantum dots
期刊论文
physical review b, 2000, 卷号: 61, 期号: 8, 页码: 5530-5534
Wang HL
;
Yang FH
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Wang H
;
Wang XD
收藏
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浏览/下载:51/0
  |  
提交时间:2010/08/12
ELECTRONIC-STRUCTURE
CARRIER RELAXATION
ENERGY-LEVELS
SPECTROSCOPY
Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures
期刊论文
compound semiconductors 1999, 2000, 期号: 166, 页码: 251-256
Wang H
;
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Ning D
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/08/12
ELECTRONIC-STRUCTURE
CARRIER RELAXATION
ENERGY-LEVELS
SPECTROSCOPY
Tuning of conduction intersublevel absorption wavelengths in (In, Ga)As/GaAs quantum-dot nanostructures
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 24, 页码: 3537-3539
Pan D
;
Towe E
;
Kennerly S
;
Kong MY
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/08/12
INFRARED PHOTODETECTORS
ENERGY-LEVELS
ISLANDS
GROWTH
INGAAS
GAAS
Proof of InAs/GaAs self-organized quantum dot lasing and the experimental determination of local Strain effect on the band structures
会议论文
26th international symposium on compound semiconducors, berlin, germany, aug 22-26, 1999
Wang H
;
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Ning D
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/15
ELECTRONIC-STRUCTURE
CARRIER RELAXATION
ENERGY-LEVELS
SPECTROSCOPY
Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots
会议论文
9th international conference on modulated semiconductor structures (mss9), fukuoka, japan, jul 12-16, 1999
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/15
InAs/GaAs quantum dots
self-assembled structure
DLTS
PL
band offset
ENERGY-LEVELS
CARRIER RELAXATION
SPECTROSCOPY
Electronic characteristics of InAs self-assembled quantum dots
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2000, 卷号: 7, 期号: 3-4, 页码: 383-387
Wang HL
;
Feng SL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Chen F
收藏
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
InAs/GaAs quantum dots
self-assembled structure
DLTS
PL
band offset
ENERGY-LEVELS
CARRIER RELAXATION
SPECTROSCOPY
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