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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
2000 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
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发表日期:2000
学科主题:半导体材料
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Effect of In-mole-fraction in InGaAs overgrowth layer on self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 213, 期号: 1-2, 页码: 193-197
作者:
Xu B
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提交时间:2010/08/12
quantum dots
InGaAs overgrowth layer
photoluminescence
molecular beam epitaxy
1.3 MU-M
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH
EMISSION
LASERS
ENERGY
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