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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1999    学科主题：半导体材料    内容类型：会议论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strain-induced morphological evolution and preferential interdiffusion in SiGe epitaxial film on Si(100) during high-temperature annealing 会议论文 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Liu JP; Kong MY; Liu XF; Li JP; Huang DD; Li LX; Sun DZ 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/15 STRANSKI-KRASTANOW GROWTH  QUANTUM DOTS  RELAXATION  INAS