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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1998    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Threshold reduction in strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 25-30 Lu LW; Zhang YH; Yang GW; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 InGaAs/GaAs quantum wells  DLTS measurements  nonradiative centers  THICKNESS