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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1998    学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of growth temperature on highly mismatched InAs grown on GaAs substrates by MBE 期刊论文 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 186, 期号: 1-2, 页码: 38-42 Wang HM; Fan TW; Wu J; Zeng YP; Dong JR; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  CRITICAL LAYER THICKNESS  THREADING DISLOCATIONS  OVAL DEFECTS  HETEROSTRUCTURES  INXGA1-XAS  ENERGY  SI   Identification of induced reaction during XPS depth profile measurements of CeO2/Si films grown by ion beam epitaxy 期刊论文 vacuum, 1998, 卷号: 49, 期号: 2, 页码: 133-137 Wu Z; Huang D; Yang X; Wang J; Qin F; Zhang J; Yang Z 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/08/12 SPECTROSCOPY  ENERGY