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科研机构
半导体研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [1]
发表日期
1997 [1]
学科主题
半导体物理 [1]
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发表日期:1997
学科主题:半导体物理
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The third subband population in modulation-doped InGaAs/InAlAs heterostructures
期刊论文
journal of applied physics, 1997, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: 6107-6109
作者:
Xu B
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提交时间:2010/08/12
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