QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：1993    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GROWTH OF HIGH-QUALITY GALLIUM-ARSENIDE ON HF-ETCHED SILICON (001) BY CHEMICAL BEAM EPITAXY 期刊论文 applied physics letters, 1993, 卷号: 62, 期号: 14, 页码: 1653-1655 XING YR; JAMAL Z; JOYCE TB; BULLOUGH TJ; KIELY CJ; GOODHEW PJ 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/15 MOLECULAR-BEAM  TEMPERATURE  SI