| 不良溶剂诱导P3HT晶须有序排列 | |
| 王思思 ; 杨小牛 | |
| 2014 | |
| 会议名称 | 中国化学会第29届学术年会 |
| 会议日期 | 2014-08-04 |
| 会议地点 | 中国北京 |
| 关键词 | 聚3-己基噻吩 纳米晶须 取向 |
| 中文摘要 | 区域规整聚3-己基噻吩(P3HT)作为一种p-型半导体材料因其优异的电学性能[1],化学稳定性及易加工[2]等性质而在聚合物场效应晶体管(OFETs),太阳能电池领域广泛应用。本工作主要是研究了一种简便有效的方法来获得取向P3HT薄膜。我们发现往P3HT/ODCB(2 mg/mL)的稀溶液中滴加不良溶剂形成的纳米晶须/不良溶剂/良溶剂混合溶液,在玻璃基底上缓慢挥发的过程中会形成P3HT晶须取向的薄 |
| 会议主办者 | 中国化学会 |
| 语种 | 中文 |
| 内容类型 | 会议论文 |
| 源URL | [http://ir.ciac.jl.cn/handle/322003/60089]  |
| 专题 | 长春应用化学研究所_长春应用化学研究所知识产出_会议论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王思思,杨小牛. 不良溶剂诱导P3HT晶须有序排列[C]. 见:中国化学会第29届学术年会. 中国北京. 2014-08-04. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论