跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置

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	跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置
	罗跃嘉 ; 吴宗耀 ; 魏景汉
刊名	第三军医大学学报
	1998
卷号	20 期号:4 页码:299-300
关键词	脑地形图事件相关电位（ERP）失配负波（MMN）选择性注意记忆痕迹
ISSN号	1000-5404
中文摘要	目的：研究脑内记忆痕迹的位置。方法：采用“跨通路延迟反应”实验模式，研究12名正常青年人注意与非注意条件下的事件相关电位（ERPs）。实验分为二项：①注意视觉通路，忽视听觉通路；②注意听觉通路，忽视视觉通路。主要分析偏差刺激ERP减去标准刺激ERP的偏差成分地形图。结果：发现视听通路在注意时最大失匹配负波（MMN）波幅分布于它们的初级感觉投影，而在非注意条件下视听最大MMN波幅均分布于额中央部。结论：对于长期争论的注意早晚期选择理论提出了选择位置具有可塑性这一新见解。
学科主题	认知神经科学
语种	中文
公开日期	2013-09-06
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.psych.ac.cn/handle/311026/9522]
专题	心理研究所_中国科学院心理研究所回溯数据库(1956-2010)
推荐引用方式 GB/T 7714	罗跃嘉,吴宗耀,魏景汉. 跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置[J]. 第三军医大学学报,1998,20(4):299-300.
APA	罗跃嘉,吴宗耀,&魏景汉.(1998).跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置.第三军医大学学报,20(4),299-300.
MLA	罗跃嘉,et al."跨通路选择性注意脑内记忆痕迹的位置".第三军医大学学报 20.4(1998):299-300.