| 题名 | 1.55 μm InP基大功率半导体DFB激光器的研究 |
| 作者 | 柯青 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2015-05-22 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 吉晨 |
| 关键词 | 大功率 不对称波导 分布反馈激光器 |
| 学位专业 | 微电子与固体电子学 |
| 中文摘要 | 论文主要介绍了大功率InGaAsP/InP基材料体系分布反馈（DFB）激光器的发展，并对本论文主要研制的1.55 μm 大功率DFB激光器进行了深入调研。通过采用优化的不对称结构波导设计成功制备了1.55 μm大功率法布里-帕罗（FP）和DFB激光器。主要工作包括以下几个方面： 1. 详细介绍了InP基大功率半导体激光器设计的相关理论基础并进行了模拟分析，优化了材料结构参数。通过Lastip软件分析激光器波导层中载流子特性，从而提高了器件的内量子效率。 2. 设计了两批结构的大功率激光器，并计算了不同结构的自由载流子吸收导致的内部损耗，计算结果与实验结果比较一致，最终第一批宽波导结构的设计使器件内部损耗降低至4.5 /cm。第二批不对称结构的设计提高了器件的内量子效率，采用该结构制作的1 mm腔长宽接触激光器单边输出功率可达到350 mW以上。 3. 优化了双沟脊波导激光器的侧向折射率差，解决了由于侧向折射率差太小造成的器件PI曲线出现“switch off”现象。最终用不对称结构制作的1 mm腔长的FP激光器单边最大单模输出功率可达175 mW。 4. 优化设计了DFB激光器的结构，光栅耦合系数约为10 /cm，最终用不对称结构制作的1.5 mm腔长DFB激光器的单模输出功率可达200 mW。 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2015-06-12 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26597]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 柯青. 1.55 μm InP基大功率半导体DFB激光器的研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2015. |
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