Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响

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	Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响
	李超群 ; 张振中 ; 谢修华 ; 陈洪宇 ; 申德振
刊名	发光学报
	2014-12-15
期号	12 页码:1405-1409
关键词	MgZnO Ga掺杂能级深度电阻
中文摘要	通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO∶Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中MgxZn1-xO∶Ga薄膜的光学带隙随x增大而出现的蓝移证实了Mg在Zn O晶格中的替位掺入。薄膜上金叉指电极间的变温I-V曲线显示,在同等温度下,Ga掺杂MgxZn1-xO薄膜的电阻率随着x值的增大而逐渐升高。这是由于Mg组分增大使材料的导带底显著上升,Ga的施主能级深度增大,导致n型载流子浓度降低。根据I-V曲线计算了270 K温度下MgxZn1-xO∶Ga薄膜的浅能级施主深度。与x=0,0.03,0.14对应的施主能级深度分别为45.3,58.5,65 me V,说明随着薄膜Mg含量的升高,Ga的施主能级深度有增加的趋势。
语种	中文
公开日期	2015-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/43068]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	李超群,张振中,谢修华,等. Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响[J]. 发光学报,2014(12):1405-1409.
APA	李超群,张振中,谢修华,陈洪宇,&申德振.(2014).Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响.发光学报(12),1405-1409.
MLA	李超群,et al."Mg含量对Mg_xZn_(1-x)O∶Ga薄膜电学性质的影响".发光学报 .12(2014):1405-1409.