硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响

	硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响
	王双鹏
刊名	发光学报
	2014-07-14
期号	7 页码:795-799
关键词	ZnO B/N共掺 p型掺杂
中文摘要	利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B—N键。B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO∶(B,N)薄膜在两年多的时间内一直显示稳定的p型电导。这是由于B—N键的存在提高了N在ZnO薄膜中的固溶度,且B—N键之间强的键能和B占据Zn位所表现的弱施主特性不会带来强的施主补偿效应,说明B是N掺杂ZnO薄膜的一种良好的共掺元素。
语种	中文
公开日期	2015-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42829]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	王双鹏. 硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响[J]. 发光学报,2014(7):795-799.
APA	王双鹏.(2014).硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响.发光学报(7),795-799.
MLA	王双鹏."硼对氮掺杂的p型ZnO薄膜的影响".发光学报 .7(2014):795-799.