Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响

	Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响
	李超群 ; 张振中 ; 陈洪宇 ; 谢修华 ; 申德振
刊名	发光学报
	2014
期号	8 页码:922-925
关键词	立方相MgZnO Ga掺杂晶体结构相分离
中文摘要	采用金属有机物化学气相沉积方法生长了立方相Mg0.56Zn0.44O:Ga薄膜,Ga在MgZnO中的摩尔分数为2.8%~4.5%。低掺杂水平的MgZnO可以保持其良好的结晶特性。随着Ga元素的摩尔分数升高至3.1%、3.3%与4.5%,立方相MgZnO中分别出现了Ga2O3、ZnO与ZnGa2O4分相。其中,Ga2O3与ZnGa2O4相的出现是由于Ga的掺杂使这两相在MgZnO基质中饱和析出,而ZnO分相被归因于Ga的引入部分破坏了立方MgZnO的亚稳态结构状态,使组分原本就处于分相区的立方MgZnO出现相分离。
语种	中文
公开日期	2015-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42674]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	李超群,张振中,陈洪宇,等. Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响[J]. 发光学报,2014(8):922-925.
APA	李超群,张振中,陈洪宇,谢修华,&申德振.(2014).Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响.发光学报(8),922-925.
MLA	李超群,et al."Ga掺入对立方相MgZnO薄膜晶体结构的影响".发光学报 .8(2014):922-925.