通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性

	通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性
	王双鹏
刊名	发光学报
	2014
期号	4 页码:399-403
关键词	氧化锌 p型掺杂间歇性补氧
中文摘要	使用分子束外延方法在c面蓝宝石衬底上生长了系列氮掺杂ZnO薄膜样品。在连续的富锌气氛环境中生长的样品,由于存在大量的施主缺陷,呈现n型电导。为了抑制施主缺陷带来的补偿效应,在生长过程中,通过周期性补充氧气,形成周期性的富氧气氛,缓解了氮掺杂浓度和施主缺陷浓度之间的矛盾。光致发光测量表明,通过交替生长气氛,氧空位和锌间隙等缺陷在薄膜中得到了显著抑制。通过交替生长气氛生长的外延薄膜的结晶质量也有所提高。样品显示出重复性较高的p型电导,载流子浓度可达到1016cm-3。周期性补氧调节生长气氛的生长方式是一种有效实现p型掺杂ZnO的方法。
语种	中文
公开日期	2015-05-27
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42668]
专题	长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出
推荐引用方式 GB/T 7714	王双鹏. 通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性[J]. 发光学报,2014(4):399-403.
APA	王双鹏.(2014).通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性.发光学报(4),399-403.
MLA	王双鹏."通过交替生长气氛调控N掺杂ZnO薄膜电学特性".发光学报 .4(2014):399-403.