Ferroelectric memristive effect in BaTiO3 epitaxial thin films

	Ferroelectric memristive effect in BaTiO3 epitaxial thin films
	Chen, X ; Jia, CH ; Chen, YH ; Yang, G ; Zhang, WF
刊名	journal of physics d-applied physics
	2014
卷号	47 期号:36 页码:365102
学科主题	半导体材料
收录类别	SCI
语种	英语
公开日期	2015-04-02
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26280]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	Chen, X,Jia, CH,Chen, YH,et al. Ferroelectric memristive effect in BaTiO3 epitaxial thin films[J]. journal of physics d-applied physics,2014,47(36):365102.
APA	Chen, X,Jia, CH,Chen, YH,Yang, G,&Zhang, WF.(2014).Ferroelectric memristive effect in BaTiO3 epitaxial thin films.journal of physics d-applied physics,47(36),365102.
MLA	Chen, X,et al."Ferroelectric memristive effect in BaTiO3 epitaxial thin films".journal of physics d-applied physics 47.36(2014):365102.