High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes | |
Kang, H ; Wang, Q ; Xiao, HL ; Wang, CM ; Jiang, LJ ; Feng, C ; Chen, H ; Yin, HB ; Wang, XL ; Wang, ZG ; Hou, X | |
刊名 | chinese physics letters
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2014 | |
卷号 | 31期号:6页码:068502 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | SCI |
语种 | 英语 |
公开日期 | 2015-03-25 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/26171] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Kang, H,Wang, Q,Xiao, HL,et al. High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes[J]. chinese physics letters,2014,31(6):068502. |
APA | Kang, H.,Wang, Q.,Xiao, HL.,Wang, CM.,Jiang, LJ.,...&Hou, X.(2014).High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes.chinese physics letters,31(6),068502. |
MLA | Kang, H,et al."High-Voltage AlGaN/GaN-Based Lateral Schottky Barrier Diodes".chinese physics letters 31.6(2014):068502. |
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