| 确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法 | |
| 焦庆斌 谭鑫 巴音贺希格 齐向东 | |
| 2014-11-19 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | 201310251594.9 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 中文摘要 | 确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法，属于光谱技术领域，解决了现有技术确定单晶硅湿法刻蚀刻蚀截止点重复性差、精度低的问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)构建一套包括单晶硅湿法刻蚀反应以及检测痕量氢气的装置；(2)在反应未开始时通过机械泵对装置抽真空，通过真空规及真空计测量氢气输送管内的真空度；(3)真空度达到10Pa以下时开始反应，通过机械泵将反应生成的氢气抽至痕量氢气检测装置，得到痕量氢气检测装置中氢气总量的原子吸收光谱峰值随反应时间的关系曲线；(4)当关系曲线的变化趋缓时任意时刻停止反应过程，此时即为刻蚀截止点。本发明能够精确确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅的刻蚀截止点。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2014-11-19 |
| 语种 | 中文 |
| 专利证书号 | 1522630 |
| 专利申请号 | 201310251594.9 |
| 专利代理 | 王丹阳 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42122]  |
| 专题 | 长春光学精密机械与物理研究所_中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 焦庆斌 谭鑫 巴音贺希格 齐向东. 确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法. 201310251594.9. 2014-11-19. |
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