表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法 | |
朱石超 ; 赵丽霞 ; 于治国 ; 孙雪娇 ; 王军喜 ; 李晋闽 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体器件 |
公开日期 | 2014-09-17 |
申请日期 | 2014-06-19 |
专利申请号 | CN201410276182.5 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25913] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱石超,赵丽霞,于治国,等. 表面等离激元增强GaN基纳米孔LED的制备方法. |
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