锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法 | |
季海铭 ; 罗帅 ; 杨涛 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体材料 |
公开日期 | 2013-05-01 |
申请日期 | 2013-02-04 |
专利申请号 | CN201310043881.0 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25881] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 季海铭,罗帅,杨涛. 锑作为表面活性剂的InP基InAs量子阱材料的生长方法. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论