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	具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法
	王翠梅 ; 王晓亮 ; 彭恩超 ; 肖红领 ; 冯春 ; 姜丽娟 ; 陈竑
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
公开日期	2013-05-22
申请日期	2013-02-20
专利申请号	CN201310054863.2
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25815]
专题	半导体研究所_中科院半导体材料科学重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	王翠梅,王晓亮,彭恩超,等. 具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法.

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