采用多激光器进行激光熔覆的方法
林学春 ; 赵树森 ; 刘发兰 ; 王奕博 ; 周春阳 ; 高文焱
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体研究所
学科主题半导体器件
公开日期2014-05-07
申请日期2014-01-17
专利申请号CN201410022544.8
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25936]  
专题半导体研究所_全固态光源实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
林学春,赵树森,刘发兰,等. 采用多激光器进行激光熔覆的方法.
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