二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法

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	叶长辉
	2014-12-19
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院
公开日期	2014-12-19
申请日期	2012-12-14
专利申请号	CN201210543709.7
内容类型	专利
源URL	[http://ir.hfcas.ac.cn/handle/334002/13215]
专题	合肥物质科学研究院_中科院固体物理研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	叶长辉. 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法, 二氧化硅纳米线阵列的剥离-移植方法. 2014-12-19.