一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法
王永宾 ; 张晶 ; 徐云 ; 宋国锋 ; 陈良惠
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体研究所
学科主题半导体材料
公开日期2012-07-04
申请日期2012-02-17
专利申请号CN201210037646.8
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25360]  
专题半导体研究所_纳米光电子实验室
推荐引用方式
GB/T 7714
王永宾,张晶,徐云,等. 一种制备GaSb基分布反馈激光器中光栅的系统及方法.
个性服务
查看访问统计
相关权益政策
暂无数据
收藏/分享
所有评论 (0)
暂无评论
 

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。


©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace