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	TiO2柱撑MoS2复合纳米材料用于二恶英无害化处理的方法
	裴洋 ; 夏建白 ; 李京波
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体物理
公开日期	2013-07-23
申请日期	2013-05-04
专利申请号	CN201410183663.1
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25669]
专题	半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	裴洋,夏建白,李京波. TiO2柱撑MoS2复合纳米材料用于二恶英无害化处理的方法.

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