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	多端口读写的片内存储器
	龙希田 ; 杨杰 ; 石匆 ; 吴南健
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体物理
公开日期	2013-07-24
申请日期	2013-04-22
专利申请号	CN201310140319.X
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25642]
专题	半导体研究所_半导体超晶格国家重点实验室
推荐引用方式 GB/T 7714	龙希田,杨杰,石匆,等. 多端口读写的片内存储器.

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