表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法
陈弘达 ; 王真真 ; 解意洋 ; 耿照新
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体研究所
学科主题光电子学
公开日期2014-08-20
申请日期2014-04-21
专利申请号CN201410164442.X
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25704]  
专题半导体研究所_光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
陈弘达,王真真,解意洋,等. 表面等离激元增强型硅纳米线电致发光器件及其制作方法.
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