低发散角单纵模边发射光子晶体激光器
渠红伟 ; 张冶金 ; 张建心 ; 刘磊 ; 马绍栋 ; 石岩 ; 郑婉华
专利国别中国
专利类型发明
权利人中国科学院半导体研究所
学科主题光电子学
公开日期2013-08-21
申请日期2013-05-02
专利申请号CN201310157583.4
内容类型专利
源URL[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25628]  
专题半导体研究所_光电子研究发展中心
推荐引用方式
GB/T 7714
渠红伟,张冶金,张建心,等. 低发散角单纵模边发射光子晶体激光器.
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