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	非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法
	李浩 ; 曾湘波 ; 谢小兵 ; 杨萍 ; 李敬彦 ; 张晓东 ; 王启明
专利国别	中国
专利类型	发明
权利人	中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
公开日期	2013-08-21
申请日期	2013-05-02
专利申请号	CN201310157617.X
内容类型	专利
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25627]
专题	半导体研究所_光电子研究发展中心
推荐引用方式 GB/T 7714	李浩,曾湘波,谢小兵,等. 非晶硅与多晶硅薄膜界面钝化及制备SPA结构HIT电池的方法.

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