一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法 | |
谢海忠 ; 纪攀峰 ; 李璟 ; 刘志强 ; 伊晓燕 ; 王军喜 ; 李晋闽 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体器件 |
公开日期 | 2014-07-23 |
申请日期 | 2014-04-16 |
专利申请号 | CN201410153249.6 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25719] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢海忠,纪攀峰,李璟,等. 一种芯片尺寸级氮化镓基晶体管及其制备方法. |
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