在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法 | |
赵云 ; 王刚 ; 孙连峰 ; 魏同波 ; 段瑞飞 ; 伊晓燕 ; 李晋闽 | |
专利国别 | 中国 |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体器件 |
公开日期 | 2014 |
申请日期 | 2013-09-17 |
专利申请号 | CN201310424531.9 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25649] |
专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵云,王刚,孙连峰,等. 在含镓氮化物上生长石墨烯薄膜的方法. |
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