| 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法 | |
| 汪炼成 ; 马骏 ; 刘志强 ; 伊晓燕 ; 王国宏 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 学科主题 | 半导体器件 |
| 公开日期 | 2012-09-26 |
| 申请日期 | 2012-06-19 |
| 专利申请号 | CN201210208853.5 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/25403]  |
| 专题 | 半导体研究所_中科院半导体照明研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪炼成,马骏,刘志强,等. 制作微纳金字塔氮化镓基垂直结构发光二极管阵列的方法. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论